3 THREE-DIMENSIONAL SURFACE METROLOGY OF WAFERS
A computer-based method for three-dimensional surface metrology of samples based on scanning electron microscopy and atomic force microscopy comprises the steps of: (i) using a scanning electron microscope (SEM) to obtain SEM data of a set of sites on a surface of a sample; (ii) using an atomic forc...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; kor |
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Zusammenfassung: | A computer-based method for three-dimensional surface metrology of samples based on scanning electron microscopy and atomic force microscopy comprises the steps of: (i) using a scanning electron microscope (SEM) to obtain SEM data of a set of sites on a surface of a sample; (ii) using an atomic force microscope (AFM) to measure vertical parameters of sites in a calibration subset of the set; (iii) calibrating an algorithm, configured to estimate a vertical parameter of a site when SEM data of the site are fed as inputs, by determining free parameters of the algorithm so that residuals between the algorithm-estimated vertical parameters and the AFM-measured vertical parameters can be approximately minimized; and (iv) using the calibrated algorithm to estimate vertical parameters of the sites in the complement to the calibration subset.
주사 전자 현미경 및 원자 현미경에 기초하는 샘플들의 3차원 표면 계측을 위한 컴퓨터 기반 방법. 방법은 (i) 주사 전자 현미경(SEM)을 사용하여, 샘플의 표면 상의 사이트들의 집합의 SEM 데이터를 획득하는 단계; (ⅱ) 원자 현미경(AFM)을 사용하여, 집합의 교정 부분집합 내의 사이트들의 수직 파라미터들을 측정하는 단계; (ⅲ) 사이트의 SEM 데이터가 입력들로서 공급될 때 사이트의 수직 파라미터를 추정하도록 구성된 알고리즘을, 알고리즘으로 추정된 수직 파라미터들과 AFM으로 측정된 수직 파라미터들 간의 잔차들이 거의 최소화되도록 알고리즘의 자유 파라미터들을 결정함으로써 교정하는 단계; 및 (ⅳ) 교정된 알고리즘을 사용하여, 교정 부분집합에 대한 여집합 내의 사이트들의 수직 파라미터들을 추정하는 단계를 포함한다. |
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