VACUUM PIPE PLASMA DEVICE WITH TRANCE SWITCHING CIRCUIT

A vacuum pipe plasma device equipped with a transformer switching circuit according to the present invention comprises: a vacuum pipe connected to a semiconductor chamber to discharge a gas after use; a plasma reaction reactor that decompose-processes a harmful gas introduced through the vacuum pipe...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: SUH JUNG HEOK, WOO JUNG YUN, CHOI SANG DON, PYUN KANG O, SHIN JEOM CHEOL, PARK JA IL, SUNG KI CHEUL
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:A vacuum pipe plasma device equipped with a transformer switching circuit according to the present invention comprises: a vacuum pipe connected to a semiconductor chamber to discharge a gas after use; a plasma reaction reactor that decompose-processes a harmful gas introduced through the vacuum pipe into a plasma and converts thereof into a harmless gas; a power supply device that generates a power supply necessary for the plasma reaction reactor to generate plasma; and a transformer switching device disposed between the plasma reaction reactor and the power supply device to increase a voltage upon ignition of the plasma reaction reactor and control an increased voltage so as to be restored after ignition, thereby implementing a pipe plasma processing device with high processing efficiency by facilitating ignition and delivering high output after ignition. 본 발명에 따른 트랜스 스위칭 회로를 구비한 진공 배관 플라즈마 장치는 반도체 챔버와 연결되어 사용 후 가스가 배출되는 진공 배관; 상기 진공 배관을 통해 유입된 유해 가스를 플라즈마로 분해 처리하여 무해 가스로 변환하는 플라즈마 반응 리액터; 상기 플라즈마 반응 리액터가 플라즈마를 일으키는데 필요한 전원을 발생시키는 전원장치; 및 상기 플라즈마 반응 리액터와 상기 전원장치 사이에 배치되어 상기 플라즈마 반응 리액터의 점화 시 전압을 상승시키고 점화 후 승압된 전압이 복귀되도록 제어하는 트랜스 스위칭 장치;를 포함하여 점화를 용이하게하고 점화 후 고출력을 전달하여 처리효율이 높은 배관 플라즈마 처리 장치를 구현할 수 있는 효과가 있다.