기판 처리 방법, 기판 처리 장치
본 개시는, 처리 용기 내의 적재대에 피처리 기판을 적재하는 준비 공정과, 제1 가스를 상기 처리 용기 내에 공급해서 가열 수단으로 상기 피처리 기판을 가열하는 제1 가열 공정과, 상기 제1 가스의 공급을 정지하고, 상기 제1 가스와는 다른 제2 가스를 공급해서 상기 가열 수단으로 상기 피처리 기판을 가열하는 제2 가열 공정과, 상기 제2 가스를 포함하는 제3 가스를 공급해서 상기 피처리 기판을 처리하는 처리 공정을 갖는 기판 처리 방법을 제공한다. The present disclosure provides a substrate pr...
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Format: | Patent |
Sprache: | kor |
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Zusammenfassung: | 본 개시는, 처리 용기 내의 적재대에 피처리 기판을 적재하는 준비 공정과, 제1 가스를 상기 처리 용기 내에 공급해서 가열 수단으로 상기 피처리 기판을 가열하는 제1 가열 공정과, 상기 제1 가스의 공급을 정지하고, 상기 제1 가스와는 다른 제2 가스를 공급해서 상기 가열 수단으로 상기 피처리 기판을 가열하는 제2 가열 공정과, 상기 제2 가스를 포함하는 제3 가스를 공급해서 상기 피처리 기판을 처리하는 처리 공정을 갖는 기판 처리 방법을 제공한다.
The present disclosure provides a substrate processing method including: a preparation process of placing a target substrate on a stage within a processing container; a first heating process of supplying a first gas into the processing container and heating the target substrate with a heater; a second heating process of stopping the supply of the first gas, supplying a second gas different from the first gas, and heating the target substrate with the heater; and a processing process of processing the target substrate by supplying the second gas and a third gas. |
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