SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR POWER AMPLIFIER COMPRISING THE SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

The present specification provides a semiconductor field-effect transistor, a power amplifier including the semiconductor field-effect transistor, and a method of manufacturing the semiconductor field-effect transistor. The semiconductor field-effect transistor includes: an n-type doped layer aligned close to the edge of a two-dimensional electron gas region within a channel layer. The n-type doped layer is aligned to adjust the distribution of electron concentration within a transistor and improve the RF linearity of the entire component, thereby allowing a threshold voltage to be controlled through the adjustment of charges and also reducing the contact and series resistance. 반도체 전계-효과 트랜지스터, 이러한 반도체 전계-효과 트랜지스터를 포함하는 전력 증폭기, 및 이러한 반도체 전계-효과 트랜지스터의 제조 방법이 본 명세서에서 제공된다. 반도체 전계-효과 트랜지스터는 채널 층 내에 2-차원 전자 가스 영역의 가장자리에 가깝게 정렬되는 n-형 도핑 층을 포함하고, 상기 n-형 도핑 층은, 트랜지스터 내의 전자 농도의 분포를 조정하도록 정렬되고 아울러 전체 컴포넌트의 RF 선형성을 향상시키도록 정렬되며, 그럼으로써 전하의 조정을 통해 임계 전압이 제어될 수 있게 될 뿐만 아니라 접촉 및 직렬 저항이 감소될 수 있게 된다.