semiconductor device including write transistor and read transistor

One embodiment of the present disclosure provides a semiconductor device including a memory cell having a write transistor and a read transistor. A semiconductor device according to one aspect includes a read transistor and a write transistor that are electrically connected to each other on a substrate. The read transistor includes: a read channel layer disposed on a plane on the substrate; a read gate dielectric layer disposed on the read channel layer; and a read gate electrode layer disposed on the read gate dielectric layer. The write transistor includes: a write channel layer disposed on a portion of the read gate electrode layer; a write bit line disposed on an upper surface of the write channel layer; a write gate dielectric layer disposed on a side surface of the write channel layer; and a write word line disposed on the write gate dielectric layer. 일 관점에 따르는 반도체 장치는 기판 상에서 전기적으로 연결되는 판독 트랜지스터 및 기록 트랜지스터를 포함한다. 상기 판독 트랜지스터는 상기 기판 상부의 일 면 상에 배치되는 판독 채널층, 상기 판독 채널층 상에 배치되는 판독 게이트 유전층, 및 상기 판독 게이트 유전층 상에 배치되는 판독 게이트 전극층을 포함한다. 상기 기록 트랜지스터는 상기 판독 게이트 전극층의 일부분 상에 배치되는 기록 채널층, 상기 기록 채널층의 상면에 배치되는 기록 비트 라인, 상기 기록 채널층의 일 측면 상에 배치되는 기록 게이트 유전층, 및 상기 기록 게이트 유전층 상에 배치되는 기록 워드 라인을 포함한다.