SEMICONDUCTOR DEVICES

A semiconductor device has contact plug structures placed to be away from each other in a first direction on a substrate. Contained is a fence insulation structure which is placed to fill a space between the contact plug structures in the first direction to insulate the contact plug structures and contains a barrier insulation pattern and a fence insulation pattern. In the fence insulation structure, the fence insulation pattern comprises a silicon oxide and an insulating material with etching selectivity. The barrier insulation pattern is contact with a partial side wall of the fence insulation pattern and a partial side wall of the contact plug structure and comprises a material having a band gap higher than the fence insulation pattern. The semiconductor device has tunneling of an electron and a hole reduced between the contact plug structures, thereby reducing leakage currents. 반도체 소자는, 기판 상에, 제1 방향으로 서로 이격되게 배치되는 콘택 플러그 구조물들이 구비된다. 상기 콘택 플러그 구조물들의 상기 제1 방향 사이를 채우도록 배치되어 상기 콘택 플러그 구조물들을 서로 절연시키고, 베리어 절연 패턴 및 펜스 절연 패턴을 포함하는 펜스 절연 구조물을 포함한다. 상기 펜스 절연 구조물에서, 상기 펜스 절연 패턴은 실리콘 산화물과 식각 선택비를 가지는 절연 물질을 포함한다. 상기 베리어 절연 패턴은 적어도 상기 펜스 절연 패턴의 일부 측벽 및 콘택 플러그 구조물의 일부 측벽과 접하고, 상기 펜스 절연 패턴보다 높은 밴드갭을 가지는 물질을 포함한다. 상기 반도체 소자는 콘택 플러그 구조물 사이에서 전자 및 홀의 터널링이 감소되어 누설 전류가 감소될 수 있다.