Semiconductor memory device

A semiconductor memory device according to the present invention comprises: a substrate; a conductive line extended in a first horizontal direction on the substrate; a separation insulating film having a channel trench which is extended in a second horizontal direction crossing the first horizontal direction on the conductive line and extended from a top surface to a bottom surface; a channel structure placed on the conductive line; a gate electrode extended in the second horizontal direction within the channel trench; a capacitor structure on the separation insulating film; and a contact structure interposed between the channel structure and the capacitor structure. The channel structure comprises: an amorphous oxide semiconductor layer placed within the channel trench on the conductive line; and an upper part crystalline oxide semiconductor layer interposed between the amorphous oxide semiconductor layer and the contact structure. Accordingly, the present invention can provide the semiconductor memory device with improved performance and reliability due to improved electric characteristics. 본 발명에 따른 반도체 메모리 소자는, 기판, 상기 기판 상에서 제1 수평 방향으로 연장되는 도전 라인, 상기 도전 라인 상에서 상기 제1 수평 방향과 교차하는 제2 수평 방향으로 연장되며 상면으로부터 하면까지 연장되는 채널 트렌치를 가지는 분리 절연막, 상기 도전 라인 상에 배치되는 채널 구조체, 상기 채널 트렌치 내에서 상기 제2 수평 방향으로 연장되는 게이트 전극, 상기 분리 절연막 상의 커패시터 구조체, 및 상기 채널 구조체와 상기 커패시터 구조체 사이에 개재되는 콘택 구조체를 포함하되, 상기 채널 구조체는 상기 도전 라인 상에서 상기 채널 트렌치 내에 배치되는 비정질 산화물 반도체층 및 상기 비정질 산화물 반도체층과 상기 콘택 구조체 사이에 개재되는 상부 결정질 산화물 반도체층을 포함한다.