고 처리율 침착 방법

본 발명은 에칭 내성 SiOCN 막을 침착시키는 PEALD 방법을 제공한다. 이러한 막은 개선된 성장 속도, 개선된 단차 피복성, 및 습식 에천트 및 O2 공-반응물을 포함하는 침착-후 플라즈마 처리에 대한 탁월한 에칭 내성을 제공한다. 한 실시양태에서, 이러한 PEALD 방법은 에칭-내성 SiOCN 박막을 침착시키기 위해, 수소 플라즈마와 함께, 단일 전구체 - 비스(디알킬아미노)테트라알킬디실록산에 의존한다. 막은 단일 전구체를 사용하여 침착될 수 있기 때문에, 전체 방법은 개선된 처리율을 나타낸다. The invention pr...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	CHEN PHILIP S.H, CONDO ERIC, DIMEO SUSAN V, KUIPER DAVID, BAUM THOMAS H
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAININGELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN,SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY ORGANIC CHEMISTRY SEMICONDUCTOR DEVICES SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 에칭 내성 SiOCN 막을 침착시키는 PEALD 방법을 제공한다. 이러한 막은 개선된 성장 속도, 개선된 단차 피복성, 및 습식 에천트 및 O2 공-반응물을 포함하는 침착-후 플라즈마 처리에 대한 탁월한 에칭 내성을 제공한다. 한 실시양태에서, 이러한 PEALD 방법은 에칭-내성 SiOCN 박막을 침착시키기 위해, 수소 플라즈마와 함께, 단일 전구체 - 비스(디알킬아미노)테트라알킬디실록산에 의존한다. 막은 단일 전구체를 사용하여 침착될 수 있기 때문에, 전체 방법은 개선된 처리율을 나타낸다. The invention provides a PEALD process to deposit etch resistant SiOCN films. These films provide improved growth rate, improved step coverage and excellent etch resistance to wet etchants and post-deposition plasma treatments containing O2 co-reactant. In one embodiment, this PEALD process relies on a single precursor-a bis(dialkylamino)tetraalkyldisiloxane, together with hydrogen plasma to deposit the etch-resistant thin-films of SiOCN. Since the film can be deposited with a single precursor, the overall process exhibits improved throughput.