Method for forming amorphous TiO2 thin film using low temperature atomic layer deposition and method for fabricating optical structure

Disclosed are a forming method of an amorphous titanium dioxide thin film using a low-temperature atomic layer deposition method and a manufacturing method of an optical structure, which can simplify manufacturing processes. The forming method of a titanium dioxide (TiO_2) thin film comprises: a ste...

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Hauptverfasser: PARK, HONGK KYU, SHIN HYUN JUNG, YUN, SEOK HO, PARK HYOUNG MIN, LIM, MIN WOO
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:Disclosed are a forming method of an amorphous titanium dioxide thin film using a low-temperature atomic layer deposition method and a manufacturing method of an optical structure, which can simplify manufacturing processes. The forming method of a titanium dioxide (TiO_2) thin film comprises: a step of supplying a Ti precursor to a substrate provided in a process chamber to adsorb the Ti precursor; a step of exposing the Ti precursor to the substrate without the Ti precursor adsorbed thereonto to form a Ti precursor film on the substrate; a step of supplying an O_2 precursor to the Ti precursor film to cause a reaction; and a step of exposing the O_2 precursor to the Ti precursor film without a reaction with the O_2 precursor to cause a reaction to form the TiO_2 thin film on the substrate. 저온 원자층 증착법을 이용한 비정질 이산화티타늄 박막의 형성방법 및 광학 구조물의 제조방법이 개시된다. 개시된 이산화티타늄 박막의 형성방법은, 공정 챔버 내에 마련된 기판에 Ti 전구체를 공급하여 흡착시키는 단계; 상기 Ti 전구체가 흡착되지 않은 상기 기판에 상기 Ti 전구체를 노출시켜 상기 기판에 Ti 전구체막을 형성하는 단계; 상기 Ti 전구체막에 O2 전구체를 공급하여 반응시키는 단계; 및 상기 O2 전구체와 반응하지 않은 상기 Ti 전구체막에 상기 O2 전구체를 노출시켜 반응시킴으로써 상기 기판에 상기 TiO2 박막을 형성하는 단계;를 포함한다.