분해 세정 조성물 및 그 제조 방법, 및 접착성 폴리머의세정 방법
높은 에칭 속도를 나타내는 분해 세정 조성물의 제공. 비프로톤성 용매로서 (A) 아미드 질소 원자에 2개의 알킬기가 결합한 N-치환 아미드 화합물 및 (B) 제4급 불화알킬암모늄 또는 그 수화물을 함유하는 분해 세정 조성물로서, (A) N-치환 아미드 화합물의 아미드 질소 원자의 α위치에 있는 탄소 원자 상의 2개의 수소 원자가 옥소기로 치환된 화합물인 N-치환 아미드 산화 유도체의 함유량이 550질량ppm 이하인 분해 세정 조성물. Provided is a decomposing/cleaning composition having a...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 높은 에칭 속도를 나타내는 분해 세정 조성물의 제공. 비프로톤성 용매로서 (A) 아미드 질소 원자에 2개의 알킬기가 결합한 N-치환 아미드 화합물 및 (B) 제4급 불화알킬암모늄 또는 그 수화물을 함유하는 분해 세정 조성물로서, (A) N-치환 아미드 화합물의 아미드 질소 원자의 α위치에 있는 탄소 원자 상의 2개의 수소 원자가 옥소기로 치환된 화합물인 N-치환 아미드 산화 유도체의 함유량이 550질량ppm 이하인 분해 세정 조성물.
Provided is a decomposing/cleaning composition having a high etching speed. The decomposing/cleaning composition contains: (A) an N-substituted amide compound, in which 2 alkyl groups are bonded to an amide nitrogen atom, as an aprotic solvent; and (B) a quaternary ammonium alkyl fluoride or a hydrate thereof. The content of an N-substituted amide acid derivative, which is a compound in which 2 hydrogen atoms on a carbon atom at the α-position of the amide nitrogen atom of the N-substituted amide compound (A) are substituted with oxo groups, is 550 ppm by mass or less. |
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