유기-무기 복합체 할로게나이드 필름의 제조
청구된 발명은 물질 과학의 분야, 즉, 결정질 물질로 제조된 필름의 제조 방법에 관한 것이다. 청구된 방법에 의해서 얻은 결정질 물질 필름은, 예를 들어, 반도체 적용, 특히 태양 전지의 생산에 사용될 수 있다. 본 발명을 이용하여 달성되는 기술적 결과는 쓰루 홀의 수를 감소시키고 필름의 표면 조도를 감소시킴으로써 얻은 유기-무기 복합체 할로게나이드의 필름의 균질성을 증가시키는 것이고, 이는 이들이 박막 태양 전지에서 빛-흡수 물질로서 사용되는 때에 필름의 효율을 개선시키는데 기여한다. 청구된 기술적 결과는 페로브스카이트-유사 구조...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | 청구된 발명은 물질 과학의 분야, 즉, 결정질 물질로 제조된 필름의 제조 방법에 관한 것이다. 청구된 방법에 의해서 얻은 결정질 물질 필름은, 예를 들어, 반도체 적용, 특히 태양 전지의 생산에 사용될 수 있다. 본 발명을 이용하여 달성되는 기술적 결과는 쓰루 홀의 수를 감소시키고 필름의 표면 조도를 감소시킴으로써 얻은 유기-무기 복합체 할로게나이드의 필름의 균질성을 증가시키는 것이고, 이는 이들이 박막 태양 전지에서 빛-흡수 물질로서 사용되는 때에 필름의 효율을 개선시키는데 기여한다. 청구된 기술적 결과는 페로브스카이트-유사 구조를 갖는 유기-무기 복합체 할로게나이드의 필름을 생산하는 방법이, I) 캐리어 기판에 시약 B 또는 B'의 층을 형성시키는 단계; II) 시약 B 또는 B'의 층 표면을 시약 AX 및 X2와 상호작용되게 하는 단계; III) 적용된 시약의 반응성 전환 과정을 제공하는 단계를 포함하고, 그에 따라서, 단계 II를 실행하기 위해서, 단계 I에서 얻은 필름을 유기 용매 중의 시약 AX 및 X2의 혼합물의 용액 내로 침지시키고, 반응 B'/B + AX + X2 → AnBX(nz+k) + Y'의 정확한 과정을 확실히 하기 위해서 반응성 전환의 완료까지 유지시키고, 여기에서, B는 금속을 나타내고, B'는 B의 옥사이드 또는 염을 나타내고, AX는 유기 또는 무기 할로게나이드를 나타내고, X2는 분자 할로겐을 나타내고, AnBX(nz+k)는 유기-무기 복합체 할로게나이드(OICH)를 나타내고, Y'는 반응 부산물이고, z = 1, 2이고; k = 2, 3, 4이고; n = 0÷4이고, 여기에서, n은 비-정수 값을 포함한다는 사실에 의해서 달성된다.
The claimed invention relates to the field of materials science, namely, to methods of manufacturing of films made of crystalline materials. The crystalline material film obtained by the claimed method can be used, for example, in optoelectronic devices based on semiconductors, in particular, in solar cells. The technical result achieved by using this invention is improvement of homogeneity of the obtained films of organic-inorganic complex halides by reducing the number of pinholes and reduction of the surface roughness of the film, which contributes to improvement of overall quality of the films as a light-absorbing material in thin-film solar cells. The claimed technical result is achieved via the improved method of producing the film of organic-inorganic complex halide with a perovskite-like structure which include the following stages: (I) formation a layer of reagent B or B' on the carrier substrate; II) bringing the layer of reagent B or B' into interaction with reagents AX and X2; III) providing the reactive conversion course of the applied reagents; therefore in order to implement stage II, the film, obtained at stage I, is immersed into a solution of the mixture of reagents AX and X2 in an organic solvent, and is kept in the solution until the reactive conversion is completed to ensure the correct course of reaction B'/B + AX + X2 → AnBX(nz+k) + Y', where B is representing the metal, B' is representing the oxide or salt of B, AX is representing organic or inorganic halide, X2 is representing molecular halogen, AnBX(nz+k) is representing organic-inorganic complex halide (OICH), Y' is a reaction side-product, z = 1, 2; k = 2, 3, 4; |
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