Light emitting device and method for manufacturing the same

A light emitting device is provided. The light emitting device may include: a first semiconductor layer; a dislocation blocking layer located on the first semiconductor layer and including a plurality of holes; a second semiconductor layer on the dislocation blocking layer; a plurality of voids located between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and overlapping the plurality of holes, respectively, in a planar view; a third semiconductor layer on the second semiconductor layer; an active layer on the third semiconductor layer; and a fourth semiconductor layer on the active layer. Therefore, it is possible to improve the performance of the light emitting device. 발광 소자가 제공된다. 이 발광 소자는 제1 반도체 층, 상기 제1 반도체 층 상에 위치하며 복수의 홀을 포함하는 전위(dislocation) 차단 층, 상기 전위 차단 층 상의 제2 반도체 층, 상기 제1 반도체 층과 상기 제2 반도체 층 사이에 위치하며 평면적 관점에서(in planar view) 상기 복수의 홀과 각각 중첩되는 복수의 보이드, 상기 제2 반도체 층 상의 제3 반도체 층, 상기 제3 반도체 층 상의 활성 층, 및 상기 활성 층 상의 제4 반도체 층을 포함할 수 있다.