MOS Low voltage ultraviolet emitting device based on metal oxide semiconductor structure and the Manufacturing Method

The present invention relates to a low voltage ultraviolet emitting device based on metal oxide semiconductor structure that realizes effective ultraviolet light emission by applying a phosphor layer that emits light in the UV-A and UV-B regions and an electrode layer that can transmit ultraviolet light, and a manufacturing method. The device includes a substrate; a light emitting layer formed on the oxide film of the substrate based on zinc gallium oxide and emitting surface light; a lower electrode layer formed on the lower part of the substrate; and an upper electrode layer formed on top of the light emitting layer. It emits low-voltage ultraviolet surface light based on a metal-oxide-semiconductor (MOS) structure. 본 발명은 UV-A, UV-B 영역에서 발광하는 형광체층과 자외선을 투과할 수 있는 전극층을 적용하여 효과적인 자외선발광을 구현하는 저전압 MOS 구조 자외선 면발광 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 기판;기판의 산화막상에 징크갈륨옥사이드 기반으로 형성되어 면발광하는 발광층;기판의 하부에 형성되는 하부 전극층; 및, 발광층 상부에 형성되는 상부 전극층;을 포함하는 금속-산화물-반도체(MOS) 구조를 기반으로 하여 저전압 자외선 면발광을 하는 것이다.