Display apparatus

In accordance with one embodiment of the present invention, disclosed is a display device including: a substrate; a first silicon-based transistor disposed on the substrate and including a first semiconductor layer including a silicon-based semiconductor and a first gate electrode overlapped with the first semiconductor layer; at least one insulating layer on the first gate electrode; a first oxide-based transistor including a semiconductor layer on the at least one insulating layer, wherein the semiconductor layer includes an oxide-based semiconductor; a first connection electrode electrically connecting the first semiconductor layer of the first silicon-based transistor with the semiconductor layer of the first oxide-based transistor; and a lower metal layer interposed between the substrate and the first silicon-based semiconductor, and overlapped with a part of the first semiconductor layer of the first silicon-based transistor, wherein a part of the lower metal layer is overlapped with a first connection spot between a part of the first semiconductor layer and the first connection electrode. Therefore, the present invention is capable of minimizing the occurrence of a minute crack and minimizing the spread of a crack to surroundings. 본 발명의 일 실시예는, 기판과, 상기 기판 상에 배치되며 실리콘계 반도체를 포함하는 제1반도체층 및 상기 제1반도체층과 중첩하는 제1게이트전극을 포함하는 제1실리콘계 트랜지스터와, 제1게이트전극 상의 적어도 하나의 절연층;과, 상기 적어도 하나의 절연층 상의 반도체층을 포함하되 상기 반도체층은 산화물계 반도체를 포함하는, 제1산화물계 트랜지스터와, 제1실리콘계 트랜지스터의 상기 제1반도체층과 상기 제1산화물계 트랜지스터의 상기 반도체층을 전기적으로 연결하는 제1연결전극, 및 상기 기판과 상기 제1실리콘계 트랜지스터 사이에 개재되며, 상기 제1실리콘계 트랜지스터의 상기 제1반도체층의 일부에 중첩되는 하부금속층;을 포함하고,상기 하부금속층의 일부가 상기 제1반도체층의 일 부분과 상기 제1연결전극 간의 제1접속지점에 중첩되는, 표시 장치를 개시한다.