MEMORY AND OPERATION METHOD OF MEMORY

A memory may include: a plurality of memory banks for storage of data; a read ferry area including circuits for transmitting data read from one of the plurality of memory banks to a memory controller during a read operation; a write ferry area including circuits for transferring write data transmitted from the memory controller to one of the plurality of memory banks during a write operation; and a self-refresh counter circuit activating a self-refresh read signal to activate the read ferry area every time a self-refresh operation is performed N times (N is an integer greater than 1). 메모리는, 데이터의 저장을 위한 다수의 메모리 뱅크들; 리드 동작시에 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 하나로부터 리드된 데이터를 메모리 콘트롤러로 송신하기 위한 회로들을 포함하는 리드 페리 영역; 라이트 동작시 상기 메모리 콘트롤러로부터 전달된 라이트 데이터를 상기 다수의 메모리 뱅크들 중 하나로 전달하기 위한 회로들을 포함하는 라이트 페리 영역; 및 셀프 리프레시 동작이 N회(N은 1이상의 정수) 수행될 때마다 상기 리드 페리 영역을 활성화하기 위한 셀프 리프레시 리드 신호를 활성화하는 셀프 리프레시 카운터 회로를 포함할 수 있다.