비대칭으로 각진 게이트 구조물 및 이의 제조 방법

고 전자이동도 트랜지스터(high electron mobility transistor; HEMT)는 기판, 기판 상의 소스, 소스로부터 이격된 기판 상의 드레인, 소스와 드레인 사이의 게이트를 포함하고, 게이트는 기판과 접촉하는 스템을 포함하고, 스템은 소스측 표면과 드레인측 표면을 갖고, 소스측 각도는 소스측 표면과 기판의 상부 평면 사이의 각도로 정의되고, 드레인측 각도는 드레인측 표면과 기판의 상부 평면 사이의 각도로 정의되고, 소스측 각도와 드레인측 각도는 비대칭이다. HEMT를 제조하는 방법 역시 개시된다. A high electron mobility transistor (HEMT) includes a substrate; a source on the substrate; a drain on the substrate spaced from the source; and a gate between the source and the drain, wherein the gate has a stem contacting the substrate, the stem having a source side surface and a drain side surface, wherein a source side angle is defined between the source side surface and an upper planar surface of the substrate and a drain side angle is defined between the drain side surface and the upper planar surface of the substrate, and wherein the source side angle and the drain side angle are asymmetric. Methods for making the HEMT are also disclosed.