SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

The present invention relates to a semiconductor device provided with a high-integration memory cell and a manufacturing method therefor, which may improve the reliability of the semiconductor device. The method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention may comprise: a step of forming a stack body by stacking a plurality of semiconductor layers and a plurality of etch stopper layers at the upper part of a substrate by turns; a step of etching a first portion of the stack body and then forming a plurality of stairs for stopping at the etch stopper layer; a step etching a second portion of the stack body and then forming a slit; a step of replacing etch stoppers of the stairs with sacrificial insulating layers through the slit; a step of replacing the sacrificial insulating layers with word lines; and a step of forming contact plugs connected to the word lines. 본 기술은 고집적화된 메모리 셀을 구비한 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 기술에 따른 반도체 장치 제조 방법은 기판 상부에 복수의 반도체층과 복수의 에치 스탑퍼층을 번갈아 적층하여 스택 바디를 형성하는 단계; 상기 에치 스탑퍼층에서 정지하도록 상기 스택 바디의 제1 부분을 식각하여 복수의 계단을 형성하는 단계; 상기 스택 바디의 제2 부분을 식각하여 슬릿을 형성하는 단계; 상기 슬릿을 통해 상기 계단들의 에치 스탑퍼들을 희생 절연층들로 치환하는 단계; 상기 희생 절연층들을 워드 라인들로 치환하는 단계; 및 상기 워드 라인들에 접속되는 콘택 플러그들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.