낮은 시간당 공간 속도로 규소를 트랩핑하기 위한 방법

본 발명은 5 h-1 미만의 액체 시간당 공간 속도 LHSV 또는 500 h-1 미만의 가스 시간당 공간 속도 GHSV 로 트랩핑 매스와 상기 공급원료를 접촉시키는 단계를 포함하는 가스 또는 액체 공급원료에서 규소 화합물들을 트랩핑하기 위한 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a process for trapping silicon compounds in a gaseous or liquid feedstock, comprising bringing the feedstock into contac...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MARION MARIE CLAIRE, BARTHELET KARIN, LEGAGNEUX NICOLAS
Format: Patent
Sprache:kor
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:본 발명은 5 h-1 미만의 액체 시간당 공간 속도 LHSV 또는 500 h-1 미만의 가스 시간당 공간 속도 GHSV 로 트랩핑 매스와 상기 공급원료를 접촉시키는 단계를 포함하는 가스 또는 액체 공급원료에서 규소 화합물들을 트랩핑하기 위한 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a process for trapping silicon compounds in a gaseous or liquid feedstock, comprising bringing the feedstock into contact with a trapping mass with a liquid hourly space velocity LHSV of less than 5 h−1 or a gas hourly space velocity GHSV of less than 500 h−1.