에피택시 및 CVD 챔버용 가스 인젝터

본 개시내용은 일반적으로 반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 처리 챔버용 가스 주입 장치에 관한 것이다. 가스 주입 장치는 처리 챔버에 커플링되도록 구성된 하나 이상의 가스 인젝터들을 포함한다. 가스 인젝터들 각각은, 처리 가스를 수용하고 처리 가스를 하나 이상의 가스 출구들에 걸쳐 분배하도록 구성된다. 가스 인젝터들은 복수의 경로들, 핀 어레이 및 배플 어레이를 포함한다. 가스 인젝터들은 개별적으로 가열된다. 가스 혼합물 조립체는 가스 인젝터들 각각으로부터 처리 볼륨으로 유동되는 처리 가스들의 농도를 제어하는 데에도 활용된다. 가스 혼합물 조립체는 처리 가스들의 농도뿐만 아니라 유량을 제어할 수 있다. Embodiments described herein include processes and apparatuses relate to epitaxial deposition. A method for epitaxially depositing a material is provided and includes positioning a substrate on a substrate support surface of a susceptor within a process volume of a chamber body, where the process volume contains upper and lower chamber regions. The method includes flowing a process gas containing one or more chemical precursors from an upper gas inlet on a first side of the chamber body, across the substrate, and to an upper gas outlet on a second side of the chamber body, flowing a purge gas from a lower gas inlet on the first side of the chamber body, across the lower surface of the susceptor, and to a lower gas outlet on the second side of the chamber body, and maintaining a pressure of the lower chamber region greater than a pressure of the upper chamber region.