에피택셜 증착 및 고급 에피택셜 필름 애플리케이션들을위한 챔버 아키텍쳐

본 개시내용은 일반적으로 반도체 기판들을 프로세싱하기 위한 프로세스 챔버에 관한 것이다. 프로세스 챔버는 상부 램프 어셈블리, 하부 램프 어셈블리, 기판 지지체, 기판 지지체와 상부 램프 어셈블리 사이에서 배치되는 상부 윈도우, 하부 램프 어셈블리와 기판 지지체 사이에서 배치되는 하부 윈도우, 주입 링, 및 베이스 링을 포함한다. 상부 램프 어셈블리 및 하부 램프 어셈블리 각각은 내부에서의 가열 램프들의 배치를 위한 수직으로 배향된 램프 어퍼쳐들을 포함한다. 주입 링은 자신을 관통하여 배치되는 가스 인젝터들을 포함하고 베이스 링은 기판 이송 통로, 하부 챔버 배기 통로, 및 하나 이상의 상부 챔버 배기 통로들을 포함한다. 가스 인젝터들은 기판 이송 통로 위에서 그리고 하부 챔버 배기 통로와 하나 이상의 상부 챔버 배기 통로들의 맞은편에서 배치된다. Embodiments described herein include processes and apparatuses relate to epitaxial deposition. A method for epitaxially depositing a material is provided and includes positioning a substrate on a substrate support surface of a susceptor within a process volume of a chamber body, where the process volume contains upper and lower chamber regions. The method includes flowing a process gas containing one or more chemical precursors from an upper gas inlet on a first side of the chamber body, across the substrate, and to an upper gas outlet on a second side of the chamber body, flowing a purge gas from a lower gas inlet on the first side of the chamber body, across the lower surface of the susceptor, and to a lower gas outlet on the second side of the chamber body, and maintaining a pressure of the lower chamber region greater than a pressure of the upper chamber region.