Semiconductor light emitting device. and light emitting device assembly comprising the light emitting device

The technical idea of the present invention provides a semiconductor light emitting device capable of implementing gradation effectively, and a light emitting device assembly including the light emitting device. The semiconductor light emitting device includes: a base layer; a light emitting structure including a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer with conductivity different from the conductivity of the first semiconductor layer, which are stacked on the base layer sequentially; a wavelength conversion layer on the light emitting structure; a separation wall surrounding a side surface of the wavelength conversion layer; a first electrode metal layer on a lower surface of the first semiconductor layer; and a second electrode metal layer electrically connected to the second semiconductor layer via a via hole passing through the first electrode metal layer, the first semiconductor layer, and the active layer and exposing the second semiconductor layer. The gradation is implemented in a first direction through control of at least one structure among a light emitting structure on an upper surface of the second semiconductor layer, a reflective structure of the first electrode metal layer, a structure of the separation wall, and a structure of the light emitting structure. 본 발명의 기술적 사상은, 효과적으로 그라데이션(gradation)을 구현할 수 있는 반도체 발광 소자, 및 그 발광 소자를 포함한 발광 소자 어셈블리를 제공한다. 그 반도체 발광 소자는 기저층; 상기 기저층 상에 순차적으로 적층된 제1 반도체층, 활성층, 및 상기 제1 반도체층과 다른 도전형의 제2 반도체층을 포함하는 발광 구조체; 상기 발광 구조체 상의 파장 변환층; 상기 파장 변환층의 측면을 둘러싸는 격벽; 상기 제1 반도체층의 하면 상의 제1 전극 메탈층; 및 상기 제1 전극 메탈층, 제1 반도체층, 및 활성층을 관통하여 상기 제2 반도체층을 노출시키는 관통 홀들을 통해 상기 제2 반도체층에 전기적으로 접속된 제2 전극 메탈층;을 포함하고, 상기 제2 반도체층의 상면의 광 방출 구조, 상기 제1 전극 메탈층의 반사 구조, 상기 격벽의 구조, 및 상기 발광 구조체의 구조 중 적어도 하나의 구조의 조절을 통해 제1 방향을 따라서 그라데이션(gradation)이 구현된다.