SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

In one example, a semiconductor device comprises: a first steering diode and a second steering diode on the upper side of an area of a semiconductor material; a first Zener diode buried in the area of the semiconductor material; and a second Zener diode on the lower side of the area of the semiconductor material. The semiconductor device is configured as a bidirectional electrostatic discharge (ESD) structure. The first Zener diode and the first steering diode are configured to respond to a positive ESD pulse. The second Zener diode and the second steering diode are configured to respond to a negative ESD pulse. The steering diodes are configured to have low capacitance and the Zener diodes are configured to provide improved ESD protection. The present application provides other related examples and methods. 일례에서, 반도체 소자는 반도체 재료의 영역의 상부측에 제1 스티어링 다이오드 및 제2 스티어링 다이오드, 반도체 재료의 영역 내에 매립된 제1 제너 다이오드, 및 반도체 재료의 영역의 하부측에 제2 제너 다이오드를 포함한다. 반도체 소자는 양방향 정전기 방전(ESD) 구조로서 구성된다. 제1 제너 다이오드 및 제1 스티어링 다이오드는 양의 ESD 펄스에 응답하도록 구성되고, 제2 제너 다이오드 및 제2 스티어링 다이오드는 음의 ESD 펄스에 응답하도록 구성된다. 스티어링 다이오드는 낮은 커패시턴스를 갖도록 구성되고 제너 다이오드는 향상된 ESD 보호를 제공하도록 구성된다. 다른 관련 예 및 방법이 본원에 개시된다.