반도체 장치

본 개시에 따른 반도체 장치는, 제1 면과, 제1 면과 반대측의 제2 면을 갖고, 제1 면으로부터 제2 면에 관통하는 관통공이 형성된 기체와, 관통공을 통해, 기체의 제1 면측으로 연장되는 리드와, 리드와, 관통공을 형성하는 기체의 측면 사이를 메우는 밀봉체와, 기체의 제1 면에 대해서 선 상태로 설치된 제1 주면과, 제1 주면과 반대측의 면으로서, 기체의 제1 면에 대해서 선 상태로 설치된 제2 주면을 갖는 유전체 기판과, 유전체 기판의 제1 주면측에 설치된 반도체 레이저와, 유전체 기판의 제1 주면에 설치되고, 반도체 레이저와 전기적으로 접속된 신호 선로와, 신호 선로와 리드를 전기적으로 접속하는 접속 부재와, 유전체 기판의 제2 주면에 설치된 이면 도체를 구비하고, 제1 면과 수직인 방향으로부터 보아, 밀봉체는 이면 도체의 바로 아래에 설치된다. A semiconductor device according to this disclosure comprises: a base that has a first surface and a second surface on the side opposite the first surface, and that has formed therein a penetrating hole that penetrates from the first surface to the second surface; a lead that passes through the penetrating hole and extends to the first surface side of the base; a sealing body that fills the space between the lead and lateral surfaces of the base which form the penetrating hole; a dielectric substrate having a first main surface provided upright with respect to the first surface of the base, and a second main surface that is the surface opposite the first main surface and that is provided upright with respect to the first surface of the base; a semiconductor laser provided on the first main surface-side of the dielectric substrate; a signal line that is provided on the first main surface of the dielectric substrate, and that is electrically connected to the semiconductor laser; a connecting member that electrically connects the signal line and the lead; and a rear-surface conductor that is provided on the second main surface of the dielectric substrate. The sealing body is provided directly under the rear-surface conductor, when seen from the direction perpendicular to the first surface.