Non-volatile Memory Device

A non-volatile memory device comprises: a first semiconductor chip and a second semiconductor chip connected in a vertical direction. The first semiconductor chip includes: a memory cell array; a first upper bonding pad; a second upper bonding pad; and an upper dummy bonding pad disposed between the first upper bonding pad and the second upper bonding pad. The second semiconductor chip includes: a first lower bonding pad corresponding to the first upper bonding pad; a second lower bonding pad corresponding to the second upper bonding pad; a lower dummy bonding pad corresponding to the upper dummy bonding pad; and a peripheral circuit connected to the first and second lower bonding pads. A first voltage is transmitted through the first upper bonding pad and the first lower bonding pad, and a second voltage having a higher voltage level than the first voltage is transmitted through the second upper bonding pad and the second lower bonding pad. Therefore, provided is a non-volatile memory device capable of improving metal reliability of high-voltage bonding pads and related connection wires. 비휘발성 메모리 장치는 수직 방향으로 연결되는 제1 반도체 칩 및 제2 반도체 칩을 포함한다. 제1 반도체 칩은 메모리 셀 어레이, 제1 상부 본딩 패드, 제2 상부 본딩 패드 및 제1 상부 본딩 패드와 제2 상부 본딩 패드 사이에 배치된 상부 더미 본딩 패드를 포함한다. 제2 반도체 칩은 제1 상부 본딩 패드에 대응하는 제1 하부 본딩 패드, 제2 상부 본딩 패드에 대응하는 제2 하부 본딩 패드, 상부 더미 본딩 패드에 대응하는 하부 더미 본딩 패드, 및 제1 및 제2 하부 본딩 패드들에 연결되는 주변 회로를 포함한다. 제1 상부 본딩 패드 및 제1 하부 본딩 패드를 통해 제1 전압이 전달되고, 제2 상부 본딩 패드 및 제2 하부 본딩 패드를 통해 제1 전압보다 전압 레벨이 높은 제2 전압이 전달된다.