광전자 반도체 컴포넌트 및 광전자 반도체 컴포넌트를제조하기 위한 방법

본 발명은, 제1 보호 구역(101)이 형성되는 제1 주입 구역(100), 제2 보호 구역(201)이 형성되는 제2 주입 구역(200), 및 전자기 방사선을 생성하도록 설계되고 제1 주입 구역(100)과 제2 주입 구역(200) 사이에 배열되는 활성 구역(300)을 갖는 반도체 바디(10)를 포함하는 광전자 반도체 컴포넌트(1)에 관한 것이다. 제1 주입 구역(100) 및 제1 보호 구역(101)은 제1 전도성 유형을 갖고, 제2 주입 구역(200) 및 제2 보호 구역(201)은 제2 전도성 유형을 갖는다. 제1 보호 구역(101)은 활성 구역(300)을 등지는 제1 주입 구역(100) 면으로부터 제2 주입 구역(200) 내로 반도체 바디(10)의 측방향 표면(10A)을 따라 연장되고, 활성 구역(300)을 완전히 통과한다. 본 발명은 부가적으로, 광전자 반도체 컴포넌트(1)를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다. The invention relates to an optoelectronic semiconductor component that includes a semiconductor body with a first injection region, in which a first protection region is formed, a second injection region, in which a second protection region is formed, and an active region, which is designed to generate electromagnetic radiation and which is arranged between the first injection region and the second injection region. The first injection region and the first protection region have a first conductivity type, and the second injection region and the second protection region have a second conductivity type. The first protection region extends along a lateral surface of the semiconductor body from a first injection region face facing away from the active region into the second injection region and completely passes through the active region. The invention additionally relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component.