유기 반도체 박막 응집 상태 안정성을 강화하는 방법

본 발명은 유기 반도체 기술 분야에 관한 것으로, 유기 반도체 박막 응집 상태 안정성을 강화시키기 위한 방법을 개시한다. 이는 유기 반도체 박막을 구축한 후, 구축된 유기 반도체 박막 표면 또는 내부에 미량의 나노입자를 도입하며, 나노입자는 균일하고 불연속적이므로, 유기 반도체 박막 자체의 전기적 성능에 영향을 미치지 않는다. 유기 반도체 박막의 입계, 전위, 적층결함, 표면 등은 나노입자에 의해 피닝되어, 유기 반도체 박막 응집 상태 구조 변화에 대한 전위 장벽을 증가시키므로, 그 응집 상태 안정성을 강화시키고, 나아가 유기 전계 효과 트랜지스터의 최고 작동 온도 및 보관 수명을 대폭 증가시킨다. 실온 보관 조건 하에서, 나노입자를 도입하여 안정화한 유기 반도체의 형태는 거의 변하지 않으며, 이는 고온 작업 환경 및 실제 대기 환경에서 유기 반도체 박막으로 제조된 유기 트랜지스터 소자의 전기적 성능의 안정성을 보장한다. A method for enhancing aggregation state stability of organic semiconductor (OSC) films includes constructing the OSC film; introducing uniform and discontinuous nanoparticles on a surface of the film or an inside of the film. Electrical properties of the OSC film are not influenced by introducing the nanoparticles. Grain boundary, dislocation, stacking fault, and surface of the film are pinned by the nanoparticles, increasing potential barrier of the aggregation state evolution of the film, and thus enhancing the stability of the aggregation state and greatly improving maximum working temperature and storage lifetime of organic field-effect transistors. Under room temperature storage, morphology of the OSC film introduced with the nanoparticles is difficult to change, so that the stability of electrical properties of organic transistor components prepared from the film is ensured in a high-temperature and atmospheric working environment.