Semiconductor devices and manufacturing methods for the same

A semiconductor device comprises: a substrate; a plurality of word lines; a plurality of bit line structures; and a plurality of cell pad structures. The substrate defines a plurality of active areas. The plurality of word lines are formed on the substrate, and are arranged in a plurality of word line trenches which extend in a first direction parallel to an upper surface of the substrate. The plurality of bit line structures are formed on the substrate, and extend in a second direction parallel to the upper surface of the substrate. As the plurality of cell pad structures arranged on the active area, wherein the plurality of bit line structures are interposed, the plurality of cell pad structure include: a pair of first side walls which individually extend in the first direction; and a pair of second side walls which extend in an oblique direction inclined with respect to the first direction and the second direction. The present invention can provide excellent reliability. 반도체 장치는, 복수의 활성 영역이 정의된 기판; 상기 기판에 형성되며 상기 기판의 상면에 평행한 제1 방향으로 연장되는 복수의 워드 라인 트렌치 내에 배치되는 복수의 워드 라인; 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판의 상면에 평행한 제2 방향으로 연장되는 복수의 비트 라인 구조물; 및 상기 복수의 비트 라인 구조물 각각을 사이에 두고 상기 활성 영역 상에 배치되는 복수의 셀 패드 구조물로서, 각각이 상기 제1 방향으로 연장되는 한 쌍의 제1 측벽과, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 대하여 기울어진 사선 방향으로 연장되는 한 쌍의 제2 측벽을 갖는, 복수의 셀 패드 구조물을 포함한다.