3 3-Dimensional memory device and method of manufacturing the same

A 3D memory device according to the present invention may include: a base insulating film (110) on a substrate (100); a stacked structure (ST) including word lines (WL) and interlayer insulating films (ILD) alternately stacked on the base insulating film; a bit line (BL) penetrating the stacked structure and extending in a vertical direction perpendicular to the top surface of the substrate; and storage patterns interposed between the bit line and the word line, surrounding a side of the bit line, and spaced apart from each other in the vertical direction. Each of the storage patterns has a width in a horizontal direction parallel to the top surface of the substrate, and the width of the uppermost storage pattern among the storage patterns may be different from the width of the lowest storage pattern among the storage patterns. Accordingly, reliability is improved. 본 발명에 따른 3차원 메모리 소자는, 기판(100) 상의 베이스 절연막(110), 상기 베이스 절연막 상에 교대로 적층된 워드 라인들(WL) 및 층간 절연막들(ILD)을 포함하는 적층 구조체(ST), 상기 적층 구조체를 관통하고, 상기 기판의 상면에 수직한 수직 방향으로 연장되는 비트 라인(BL) 및 상기 비트 라인과 상기 워드 라인들 사이에 개재되고, 상기 비트 라인의 측면을 둘러싸고, 상기 수직 방향으로 서로 이격되는 저장 패턴들을 포함할 수 있다. 상기 저장 패턴들 각각은 상기 기판의 상기 상면에 평행한 수평 방향에 따른 폭을 가지고, 상기 저장 패턴들 중 최상부 저장 패턴의 폭은 상기 저장 패턴들 중 최하부 저장 패턴의 폭과 다를 수 있다.