감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 오늄염 화합물

감도나 LWR 성능, CDU 성능을 충분한 레벨로 발휘 가능한 감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 오늄염 화합물을 제공한다. 하기 식 (1)로 표시되는 오늄염 화합물과, 산 해리성 기를 갖는 구조 단위를 포함하는 수지와, 용제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물. TIFFpct00035.tif34152 (상기 식 (1) 중, R1은 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이다. R2 및 R3은, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이거나, 또는 R2와 R3이 서로 합쳐져 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께...

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Hauptverfasser: SAKANO NOZOMI, NEMOTO RYUICHI
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:감도나 LWR 성능, CDU 성능을 충분한 레벨로 발휘 가능한 감방사선성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 오늄염 화합물을 제공한다. 하기 식 (1)로 표시되는 오늄염 화합물과, 산 해리성 기를 갖는 구조 단위를 포함하는 수지와, 용제를 포함하는 감방사선성 수지 조성물. TIFFpct00035.tif34152 (상기 식 (1) 중, R1은 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이다. R2 및 R3은, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이거나, 또는 R2와 R3이 서로 합쳐져 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 구성되는 환원수 3 내지 20의 환상 구조를 나타낸다. R4는 수소 원자 혹은 탄소수 1 내지 20의 1가의 탄화수소기이고, 또한 L1은 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 2가의 연결기이거나, 또는 R4와 L1은 서로 합쳐져 이들이 결합하는 질소 원자와 함께 구성되는 환원수 3 내지 20의 복소환 구조를 포함하는 기를 나타낸다. L2는 단결합 또는 탄소수 1 내지 40의 치환 또는 비치환된 2가의 연결기이다. Rf1 및 Rf2는, 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 원자, 탄소수 1 내지 10의 1가의 탄화수소기 또는 탄소수 1 내지 10의 1가의 불소화 탄화수소기이다. Rf1 및 Rf2가 각각 복수 존재하는 경우, 복수의 Rf1 및 Rf2는 서로 동일하거나 또는 상이하다. n은 1 내지 4의 정수이다. Z+는 1가의 감방사선성 오늄 양이온이다.) A radiation-sensitive resin composition includes: an onium salt compound represented by formula (1). R1 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms; R2 and R3 are each independently a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or R2 and R3 taken together represent a cyclic structure having 3 to 20 ring atoms; R4 is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and L1 is a divalent linking group having 1 to 40 carbon atoms, or R4 and L1 taken together represent a group including a heterocyclic structure having 3 to 20 ring atoms; Rf1 and Rf2 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.