UPPER ELECTRODE HAVING VARYING THICKNESS FOR PLASMA PROCESSING

The present invention relates to an upper part electrode for a substrate processing chamber, wherein a lower part surface of the upper part electrode is plasma-facing when the upper part electrode is disposed within the substrate processing chamber, the upper part electrode comprising: a center area of the lower part surface; an outer-side area of the lower part surface; and an edge area of the lower part surface. The outer-side area is located radially at an outer-side of the center area. The edge area is located radially at an outer-side of an outer-side area so that the outer-side area is located between the center area and the outer-side area. A thickness of the lower part surface decreases from a first thickness in the center area to a second thickness in the outer-side area, and increases from the second thickness in the outer-side area to a third thickness in the edge area. 기판 프로세싱 챔버를 위한 상부 전극은 상부 전극이 기판 프로세싱 챔버 내에 배치될 때, 상부 전극의 하부 표면은 플라즈마-대면이다. 상부 전극은 하부 표면의 중심 영역; 하부 표면의 외측 영역, 및 하부 표면의 에지 영역을 포함한다. 외측 영역은 중심 영역의 방사상으로 외측에 위치된다. 에지 영역은 외측 영역이 중심 영역과 외측 영역 사이에 위치되도록 외측 영역의 방사상으로 외측에 위치된다. 하부 표면의 두께는 중심 영역에서의 제 1 두께로부터 외측 영역에서의 제 2 두께로 감소하고, 그리고 외측 영역에서의 제 2 두께로부터 에지 영역에서의 제 3 두께로 증가한다.