Process gas for low-temperature etching plasma etching apparatus and method for manufacturing a semiconductor device using the same

The present invention relates to a process gas for low-temperature etching, a plasma etching device, and a method of manufacturing a semiconductor device using the same. More specifically, the present invention comprises: forming a mold film on a substrate; forming a hard mask film on the mold film; and performing a low-temperature etching process using plasma on the mold film using the hard mask film. The low-temperature etching process comprises: supplying a process gas including a first process gas and a second process gas into a chamber; and generating plasma from the process gas. Ammonium salt is produced by radicals in the first process gas, and the second process gas reduces the production rate of ammonium salt. As a result, the present invention can prevent process defects such as etch stoppage caused by ammonium salts and form an etched structure with a high aspect ratio. 본 발명은 저온 식각용 공정 가스, 플라즈마 식각 장치, 및 이들을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 기판 상에 몰드막을 형성하는 것; 상기 몰드막 상에 하드 마스크막을 형성하는 것; 및 상기 하드 마스크막을 이용하여 상기 몰드막 상에 플라즈마를 이용한 저온 식각 공정을 수행하는 것을 포함한다. 상기 저온 식각 공정은: 제1 공정 가스 및 제2 공정 가스를 포함하는 공정 가스를 챔버 내부로 공급하는 것; 및 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 생성하는 것을 포함한다. 상기 제1 공정 가스의 라디칼들에 의해 암모늄 염이 생성되고, 상기 제2 공정 가스는 상기 암모늄 염의 생성률을 감소시킨다.