MONOALKYL TIN COMPOUNDS WITH LOW POLYALKYL CONTAMINATION THEIR COMPOSITIONS AND METHODS

순수 조성물은 화학식 RSn(OR')3으로 나타내는 모노알킬주석 트리알콕사이드 화합물 또는 화학식 RSn(NR'2)3으로 나타내는 모노알킬 주석 트리아미드 화합물 및 총 주석 양에 대해 4 몰% 이하의 디알킬주석 화합물을 포함하며, 여기서 R은 탄소수 1 내지 31의 히드로카르빌 기이고, R'는 탄소수 1 내지 10의 히드로카르빌 기이다. 상기 순수 조성물을 형성하는 방법이 기재된다. 고체 조성물은 화학식 RSn-(NR'COR")3으로 나타내는 모노알킬 트리아미도 주석 화합물을 포함하며, 여기서 R은 탄소수 1 내지 31의 히드로카르빌 기이고, R' 및 R"는 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 히드로카르빌 기이다. 상기 조성물은 조성물이 높은 EUV 흡광도를 갖는 EUV 패턴화에 적합한 레지스트 조성물의 형성에 적합하다. A pure composition comprises a monoalkyltin trialkoxide compound represented by the chemical formula RSn(OR')3 or a monoalkyl tin triamide compound represented by the chemical formula RSn(NR'2)3 and no more than 4 mole% dialkyltin compounds relative to the total tin amount, where R is a hydrocarbyl group with 1-31 carbon atoms, and wherein R' is a hydrocarbyl group with 1-10 carbon atoms. Methods are described for the formation of the pure compositions. A solid composition comprises a monoalkyl triamido tin compound represented by the chemical formula RSn-(NR'COR")3, where R is a hydrocarbyl group with 1-31 carbon atoms, and where R' and R" are independently a hydrocarbyl group with 1-10 carbon atoms. The compositions are suitable for the formation of resist compositions suitable for EUV patterning in which the compositions have a high EUV absorption.