SEMICONDUCTOR DEVICE

The present invention discloses a semiconductor element comprising lower part electrodes on a substrate, a lower part support pattern provided between the lower part electrodes, an upper part support pattern on the lower part electrodes, an upper part electrode covering the lower part electrodes, the lower part support pattern, and the upper part support pattern, and a dielectric film interposed between the lower part electrodes and the upper part electrode, between the lower part support pattern and the upper part electrode, and between the upper part support pattern and the upper part electrode, wherein the upper part support pattern comprises a first part on the upper surfaces of the lower part electrodes and a second part filling an inner space of each of the lower part electrodes; and a manufacturing method thereof. Therefore, the present invention is capable of providing the semiconductor element with improved reliability. 본 발명은 기판 상의 하부 전극들, 상기 하부 전극들 사이에 제공되는 하부 지지 패턴, 상기 하부 전극들 상의 상부 지지 패턴, 상기 하부 전극들, 상기 하부 지지 패턴 및 상기 상부 지지 패턴을 덮는 상부 전극, 및 상기 하부 전극들과 상기 상부 전극 사이, 상기 하부 지지 패턴과 상기 상부 전극 사이, 및 상기 상부 지지 패턴과 상기 상부 전극 사이에 개재되는 유전막을 포함하되, 상기 상부 지지 패턴은 상기 하부 전극들의 상면들 상의 제1 부분, 및 상기 하부 전극들 각각의 내부 공간을 채우는 제2 부분을 포함하는 반도체 소자 및 이의 제조 방법을 개시한다.