LIGHT-EMITTING DEVICE

Disclosed is a light-emitting device to provide increased brightness. According to the present invention, the light-emitting device comprises: a first-type semiconductor layer including a first part and a second part connected to the first part; a semiconductor stack including an active region forme...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: HUNG CHIENYA, HONG MENGHSIANG, KUO YENLIANG, CHEN CHAOHSING, CHEN YONGYANG, HSU CHISHIANG, YAO XUECHENG, LIN YULING
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:Disclosed is a light-emitting device to provide increased brightness. According to the present invention, the light-emitting device comprises: a first-type semiconductor layer including a first part and a second part connected to the first part; a semiconductor stack including an active region formed in the first part and a second-type semiconductor layer formed in the active region; a first insulating layer formed on the semiconductor stack and including a first group of first insulating layer openings and a second group of first insulating layer openings; a reflective conductive structure formed on the first insulating layer and electrically connected to the second-type semiconductor layer through the first group of first insulating layer openings; and a contact region formed on the reflective conductive structure and including a cover part and a first group of second insulating layer openings. The cover part overlaps the first group of first insulating layer openings and each of the second insulating layer openings of the first group includes: a second insulating layer installed to be offset from the first group of first insulating layer openings; a first bonding pad located on the second insulating layer and electrically connected to the first-type semiconductor layer through the second group of first insulating layer openings; and a second bonding pad located on the second insulating layer and electrically connected to the second-type semiconductor layer through the first group of first insulating layer openings. 본 출원은 제1 부분 및 제1 부분과 연결된 제2 부분을 포함하는 제1형 반도체층; 및 제1 부분에 형성된 활성 영역 및 활성 영역에 형성된 제2형 반도체층을 포함하는 반도체 메사를 포함하는 반도체 적층; 반도체 적층 상에 형성되고, 제1 그룹의 제1 절연층 개구 및 제2 그룹의 제1 절연층 개구를 포함하는 제1 절연층; 제1 절연층 상에 형성되고, 제1 그룹의 제1 절연층 개구부를 통해 제2형 반도체층에 전기적으로 연결되는 반사 도전 구조; 반사 도전 구조 상에 형성되고, 커버부, 제1 그룹의 제2 절연층 개구부를 포함하는 접촉 영역을 구비하고, 커버부는 제1 그룹의 제1 절연층 개구부와 중첩되고, 제1 그룹의 제2 절연층 개구부는 제1 그룹의 제1 절연층 개구부와 어긋나게 설치되는 제2 절연층; 제2 절연층 상에 위치하고, 제2 그룹의 제1 절연층 개구부를 통해 제1형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 본딩 패드; 및 제2 절연층 상에 위치하고, 제1 그룹의 제1 절연층 개구부를 통해 제2형 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 본딩 패드;를 포함하는 발광소자를 공개한다.