PHOTORESIST COMPOSITIONS AND PATTERN FORMATION METHODS

According to the present invention, a photoresist composition comprises: a first polymer including a first repeating unit containing a hydroxyaryl group, a second repeating unit containing a first acid-labile group, and a third repeat unit having a pKa of 12 or less and containing a first base-soluble group which does not have a hydroxyaryl group, wherein the first repeating unit, the second repeating unit, and the third repeating unit of the first polymer are structurally different from each other, and the first polymer has no lactone groups; a second polymer including a first repeating unit containing a second acid-labile group, a second repeating unit containing a lactone group, and a third repeat unit containing a second base-soluble group having a pKa of 12 or less, wherein the first repeating unit, the second repeating unit and the third repeating unit of the second polymer are structurally different from each other; and a solvent. In addition, the first polymer and the second polymer are different from each other. 포토레지스트 조성물로서, 이 조성물은, 제1 중합체로서, 히드록시아릴 기를 포함하는 제1 반복 단위, 제1 산-불안정성 기를 포함하는 제2 반복 단위, 및 pKa가 12 이하이고, 히드록시아릴 기를 포함하지 않는 제1 염기-가용성 기를 포함하는 제3 반복 단위를 포함하며, 상기 제1 중합체의 상기 제1 반복 단위, 상기 제2 반복 단위 및 상기 제3 반복 단위는 구조적으로 서로 다르고, 상기 제1 중합체에는 락톤 기가 없는, 제1 중합체; 제2 중합체로서, 제2 산-불안정성 기를 포함하는 제1 반복 단위, 락톤 기를 포함하는 제2 반복 단위, 및 pKa가 12 이하인 제2 염기-가용성 기를 포함하는 제3 반복 단위를 포함하며, 상기 제2 중합체의 상기 제1 반복 단위, 상기 제2 반복 단위 및 상기 제3 반복 단위는 구조적으로 서로 다른, 제2 중합체; 및 용매를 포함하며, 상기 제1 중합체 및 상기 제2 중합체는 서로 다르다.