APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE

The present invention provides a method for treating a substrate having a first film, a second film, and a third film formed thereon. The method for treating a substrate comprises the steps of: generating plasma in a first space within a chamber by exciting a process gas; and forming an etchant by mixing a radical contained in the plasma and a reactive gas in a second space partitioned from the first space, wherein the etchant etches the first film and the second film among the first film, the second film, and the third film located in a third space partitioned from the second space, the radical etches the third film among the first film, the second film, and the third film in the third space, and etching rates of the first film, the second film, and the third film can be adjusted by controlling the amounts of the etchant and the radical flowing into the third space. According to one embodiment of the present invention, substrates can be efficiently treated. 본 발명은 제1막, 제2막, 그리고 제3막이 형성된 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 공정 가스를 여기시켜 챔버 내 제1공간에 플라즈마를 발생시키고, 상기 제1공간과 구획된 제2공간에 상기 플라즈마에 포함되는 라디칼과 반응 가스를 혼합하여 에천트를 형성하고, 상기 에천트는 상기 제2공간과 구획된 제3공간에 위치하는 상기 제1막, 상기 제2막, 그리고 상기 제3막 중 상기 제1막 및 상기 제2막을 에칭하고, 상기 라디칼은 상기 제3공간에서 상기 제1막, 상기 제2막, 그리고 상기 제3막 중 상기 제3막을 에칭하되, 상기 제3공간으로 유동되는 상기 에천트와 상기 라디칼의 양을 조절하여 상기 제1막, 상기 제2막, 그리고 상기 제3막의 에칭 비율을 조절할 수 있다.