SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS

Provided is a substrate processing apparatus, which may efficiently process a substrate. The substrate processing apparatus provided by one embodiment of the present invention may comprise: a housing which defines a processing space; a chuck which supports a substrate in the processing space and is provided with a heater heating the substrate; an electrode which generates a plasma in a plasma space provided at a part upper than the processing space; an electrode power module which applies power to the electrode; a gas supply unit which supplies gas to the processing space or the plasma space; an exhaust unit which exhausts an atmosphere of the processing space; and a controller. The exhaust unit may further comprise: an exhaust pipe which communicates with the processing space; and a gliding arc plasma device which is provided in the exhaust pipe. The controller may exhaust processing byproducts generated by reacting a thin film formed on the substrate with gas and control the chuck, the electrode power module, the gas supply unit, and/or the exhaust unit so that the exhaust pipe is maintained at a high temperature while the processing byproducts are exhausted. 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에서, 기판 처리 장치는, 처리 공간을 정의하는 하우징; 처리 공간에서 기판을 지지하며 기판을 가열하는 히터가 제공되는 척; 처리 공간보다 상부에 제공되는 플라즈마 공간에서 플라즈마를 발생시키는 전극; 전극에 전력을 인가하는 전극 전원 모듈; 처리 공간 또는 플라즈마 공간으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛; 처리 공간의 분위기를 배기하는 배기 유닛; 및 제어기를 포함하고, 배기 유닛은, 처리 공간과 연통되는 배기관; 및 배기관 내에 제공되는 글라이딩 아크 플라즈마 장치를 더 포함하고, 제어기는, 기판에 형성된 박막과 가스를 반응시켜 발생되는 공정 부산물을 배기하되, 공정 부산물을 배기하는 동안 배기관이 고온으로 유지되도록 척, 전극 전원 모듈, 가스 공급 유닛 및/또는 배기 유닛을 제어할 수 있다.