THIN FILM TRANSISOTR ARRAY SUBSTRATE

The present invention provides a thin film transistor array substrate. The thin film transistor array substrate includes: a substrate; a light blocking layer provided on the substrate; a semiconductor layer that includes a thin film transistor provided in an area overlapping with the light blocking...

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Hauptverfasser: AHNKI KIM, TAEHAN PARK, SAEHOON OH
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:The present invention provides a thin film transistor array substrate. The thin film transistor array substrate includes: a substrate; a light blocking layer provided on the substrate; a semiconductor layer that includes a thin film transistor provided in an area overlapping with the light blocking layer, on the light blocking layer, wherein the thin film transistor is provided on the light blocking layer; a gate insulating layer provided on the semiconductor layer; a gate electrode provided on the gate insulating layer; and a source electrode connected to one side of the semiconductor layer and a drain electrode connected to the other side of the semiconductor layer. Each of the light blocking layer, gate electrode, source electrode, and drain electrode includes a first quantum dot layer. Therefore, color can be improved. 본 발명은 기판; 기판 상에 구비된 차광층; 차광층 상에서, 차광층과 중첩되는 영역에 구비된 박막 트랜지스터를 포함하며, 박막 트랜지스터는 차광층 상에 구비된 반도체층; 반도체층 상에 구비된 게이트 절연층; 게이트 절연층 상에 구비된 게이트 전극; 반도체층의 일측과 연결된 소스 전극 및 반도체층의 타측과 연결된 드레인 전극을 포함하고, 차광층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 각각은 제1 양자점층을 포함하는 박막 트랜지스터 어레이 기판을 제공한다.