APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE

An embodiment of the present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes: a support unit for supporting and rotating a substrate; a liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate supported on the support unit; a heating unit which emits a laser to a target location on the substrate to which the processing liquid is supplied; and a controller. The heating unit includes: a body including an irradiation end to which the laser is irradiated; a shaft coupled to the body; and a driver which supplies power to the shaft. The heating unit is moved through swinging about the axis of the shaft, and the controller can adjust the rotation angle of the heating unit and the rotation angle of the support unit to move the irradiation end of the heating unit to the target position on the substrate. The present invention can make the line width of a pattern formed on the substrate uniform. 본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치를 개시한다. 기판 처리 장치는 상기 기판을 지지하고 회전시키는 지지 유닛; 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛; 및 상기 처리액이 공급된 상기 기판 상의 타겟 위치로 레이저를 조사하는 가열 유닛; 및 제어기를 포함하고, 상기 가열 유닛은, 상기 레이저가 조사되는 조사 단부를 포함하는 바디; 상기 바디에 결합되는 샤프트; 및 상기 샤프트에 동력을 공급하는 구동기를 포함하고, 상기 가열 유닛은 상기 샤프트의 축을 중심으로 스윙 이동되고, 상기 제어기는 상기 가열 유닛을 회전 각도와 상기 지지 유닛의 회전 각도를 조절하여 상기 가열 유닛의 상기 조사 단부를 상기 기판 상의 상기 타겟 위치로 이동시킬 수 있다.