도가니 침식이 감소된 단결정 실리콘 잉곳을 형성하는 방법들

도가니 침식이 감소된 단결정 실리콘 잉곳을 형성하는 방법들이 개시된다. 고체-상 석영은 도가니-용융물 표면 계면에서 침식을 줄이기 위해 용융물에 첨가된다. 석영은 합성 석영 로드들과 같은 합성 석영일 수 있다. 석영은 도가니-용융물 표면 계면 근처에 배치될 수 있다. 석영은 용해되어 도가니-용융물 표면 계면에서 도가니로부터 용해되는 석영의 양을 억제한다. Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion are disclosed. Soli...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ZEPEDA SALVADOR, PHILLIPS RICHARD JOSEPH
Format:	Patent
Sprache:	kor
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	도가니 침식이 감소된 단결정 실리콘 잉곳을 형성하는 방법들이 개시된다. 고체-상 석영은 도가니-용융물 표면 계면에서 침식을 줄이기 위해 용융물에 첨가된다. 석영은 합성 석영 로드들과 같은 합성 석영일 수 있다. 석영은 도가니-용융물 표면 계면 근처에 배치될 수 있다. 석영은 용해되어 도가니-용융물 표면 계면에서 도가니로부터 용해되는 석영의 양을 억제한다. Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion are disclosed. Solid-phase quartz is added to the melt to reduce erosion at the crucible-melt surface interface. The quartz may be synthetic quartz such as synthetic quartz rods. The quartz may be disposed near the crucible-melt surface interface. Quartz dissolves and suppresses the amount of quartz that dissolves from the crucible at the crucible-melt surface interface.