APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR PROCESSING A SUBSTRATE

Provided is a method for processing a substrate in multiple chambers, capable of efficiently processing a substrate. The method for processing a substrate processes a substrate positioned in a chamber with a solution through a supply line connecting each of multiple chambers and a circulation line while the solution circulates in the circulation line. The method for processing a substrate maintains a fixed standard flow rate per unit time of the solution flowing in the lower side of a valve installed in the supply line. The method for processing a substrate can maintain the standard flow rate by controlling an upper flow rate, which is the flow rate per unit time of the solution flowing in the upper part of the circulation line than the supply lines, or the lower flow rate, which is the flow rate per unit time of the solution flowing in the lower part of the circulation line than the supply lines. 본 발명은 복수 개의 챔버에서 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은 순환 라인에서 액이 순환하면서 상기 순환 라인과 상기 복수 개의 챔버들 각각을 연결하는 공급 라인을 통해 상기 챔버 내에 위치한 기판의 액 처리가 이루어지고, 상기 공급 라인에 설치된 밸브의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량은 기준 유량으로 일정하게 유지하되, 상기 밸브의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 분배 유량을 근거로, 상기 공급 라인들보다 상기 순환 라인의 상류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 상류 유량 또는 상기 공급 라인들보다 상기 순환 라인의 하류에 흐르는 상기 액의 단위 시간당 유량인 하류 유량을 조절하여 상기 기준 유량을 유지할 수 있다.