LIGHT EMITTING DIODE

The present invention relates to a light emitting diode. The light emitting diode comprises: a substrate; a first conductive semiconductor layer which is disposed on the substrate; a mesa which is located on the first conductive semiconductor layer and includes an active layer and a second conductive semiconductor layer; an ohmic contact layer which is disposed on the second conductive semiconductor layer and is formed with islands spaced apart from each other; a dielectric layer which covers the ohmic contact layer and has openings that expose the islands, respectively; a metal reflection layer which covers the dielectric layer and electrically connects to the islands through the openings of the dielectric layer; a lower insulation layer which covers the metal reflection layer and has an opening that exposes the metal reflection layer; and first and second bump pads which are disposed at an upper part of the lower insulation layer and are electrically connected to the first and second conductive semiconductor layers, respectively. 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하고, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 메사; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되며 서로 이격된 아일랜드들로 형성된 오믹 콘택층; 상기 오믹 콘택층을 덮되, 각각 상기 아일랜드들을 노출시키는 개구부들을 갖는 유전층; 상기 유전층을 덮으며, 상기 유전층의 개구부들을 통해 상기 아일랜드들에 전기적으로 접속하는 금속 반사층; 상기 금속 반사층을 덮되, 상기 금속 반사층을 노출시키는 개구부를 갖는 하부 절연층; 및 상기 하부 절연층 상부에 배치되며, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층들에 각각 전기적으로 접속된 제1 및 제2 범프 패드들을 포함한다.