STORAGE DEVICE AND METHOD OF OPERATING STORAGE DEVICE

A storage device comprises a non-volatile memory device and a storage controller. The non-volatile memory device includes: a plurality of word lines which are stacked on the top surface of a substrate; a plurality of memory cells which are formed on channel holes vertically increasing on the substrate; and word-line cut areas which extend in a first horizontal direction and divide the word lines into a plurality of memory blocks. The storage controller is configured to control the non-volatile memory device to assign a program motion to be performed on data to be programmed to one of a first program motion and a second program motion, assign M number of page data (M is a natural number of at least 1) to the first program motion on the basis of the data, assign N number of page data (N is a natural number of at least 1) to the second program motion on the basis of the data, perform the first program motion with respect to first memory blocks of the plurality of memory blocks so that memory cells of the first memory blocks include the M number of page data, perform the second program motion with respect to a second memory block selected from the first memory blocks so that at least one memory cell of the second memory block further includes the N number of page data, after completion of the first program motion with respect to the first memory blocks, select and perform one of the first program motion with respect to an erased state of a third memory block and the second program motion with respect to the second memory block. The storage device of the present invention can improve program performance without increasing the size of buffer memory. 스토리지 장치는 비휘발성 메모리 장치 및 스토리지 컨트롤러를 포함한다. 상기 비휘발성 메모리 장치는 기판의 상면 위에 적층되는 복수의 워드라인들, 상기 기판에 수직 방향으로 신장되는 채널 홀들에 형성되는 복수의 메모리 셀들 및 제1 수평 방향으로 연장되며 상기 워드라인들을 복수의 메모리 블록들로 구분하는 워드라인 컷 영역들을 구비한다. 상기 스토리지 컨트롤러는 상기 비휘발성 메모리 장치의 동작을 제어하고, 프로그램될 데이터에 수행될 프로그램 동작을 제1 프로그램 동작 및 제2 프로그램 동작 중 하나로 할당하고, 상기 제1 프로그램 동작에는 상기 데이터에 기초하여 M(M은 1 이상의 자연수) 개의 페이지 데이터를 할당하고, 상기 제2 프로그램 동작에는 상기 데이터에 기초하여 N(N은 1이상의 자연수) 개의 페이지 데이터를 할당하고, 상기 복수의 메모리 블록들 중 제1 메모리 블록들의 메모리 셀들이 상기 M 개의 페이지 데이터를 포함하도록 상기 제1 메모리 블록들에 대하여 상기 제1 프로그램 동작을 수행하고, 상기 제1 메모리 블록들에서 선택된 적어도 하나의 제2 메모리 블록의 메모리 셀들이 상기 N 개의 페이지 데이터를 더 포함하도록 상기 제2 메모리 블록에 대하여 상기 제2 프로그램 동작을 수행하고, 상기 제1 메모리 블록들에 대한 상기 제1 프로그램 동작의 완료 후, 소거 상태의 제3 메모리 블록에 대한 상기 제1 프로그램 동작과 상기 제2 메모리 블록에 대한 상기 상기 제2 프로그램 동작 중 하나를 선택하여 수행하도록 상기 비휘발성 메모리 장치를 제어한다.