기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

기판에 흡착하는 촉매 성분을 상기 기판에 공급하는 촉매 성분 공급 공정과, 상기 촉매 성분의 존재 하에서 상기 기판에 절연막을 형성하는 성막 성분을 상기 기판에 공급하는 성막 성분 공급 공정과, 상기 기판에 흡착하고 또한 상기 촉매 성분의 상기 기판에의 흡착을 저해하는 저해 성분을 상기 기판의 표면 또는 이면에 공급하는 저해 성분 공급 공정을 갖고, 상기 저해 성분 공급 공정은, 상기 촉매 성분 공급 공정의 앞에 행하는, 기판 처리 방법. A substrate processing method includes: a catalyst c...

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Hauptverfasser: IGETA MASANOBU, MURAKAMI HIROKI
Format: Patent
Sprache:kor
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Beschreibung
Zusammenfassung:기판에 흡착하는 촉매 성분을 상기 기판에 공급하는 촉매 성분 공급 공정과, 상기 촉매 성분의 존재 하에서 상기 기판에 절연막을 형성하는 성막 성분을 상기 기판에 공급하는 성막 성분 공급 공정과, 상기 기판에 흡착하고 또한 상기 촉매 성분의 상기 기판에의 흡착을 저해하는 저해 성분을 상기 기판의 표면 또는 이면에 공급하는 저해 성분 공급 공정을 갖고, 상기 저해 성분 공급 공정은, 상기 촉매 성분 공급 공정의 앞에 행하는, 기판 처리 방법. A substrate processing method includes: a catalyst component supplying process of supplying a catalyst component, which is to be adsorbed on a substrate, to the substrate; a film-forming component supplying process of supplying a film-forming component, which forms an insulating film on the substrate in the presence of the catalyst component, to the substrate; and an inhibition component supplying process of supplying an inhibition component, which is to be adsorbed on the substrate and inhibits adsorption of the catalyst component on the substrate, to a front surface or a back surface of the substrate, wherein the inhibition component supplying process is performed before the catalyst component supplying process.