LINE SCANNER USING ULTRAVIOLET SENSOR BASED ON SINGLE CRYSTAL SILICON AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Provided are a line scanner using ultraviolet sensors based on single crystal silicon, which has the ultraviolet sensors, which are developed using a metal-semiconductor-metal (MSM) structure using single crystal silicon and metal (aluminum), arranged in a 1*6 array, thereby enabling signal processing by which a signal output from each cell of the ultraviolet sensors indicates the intensity of ultraviolet rays incident on the cell through signal processing by a microprocessor, and a manufacturing method thereof. To achieve the above purpose, the manufacturing method comprises the steps of: (A) manufacturing ultraviolet sensors having an MSM structure using single crystal silicon and metal (aluminum); (B) forming a line scanner pattern in which the ultraviolet sensors are arranged in a 1*N array; and (C) measuring a signal responding to ultraviolet rays by measuring a sensor response when the ultraviolet rays are shifted from 1 to N using the output of the 1*N array of ultraviolet sensors. 단결정 실리콘과 메탈(알루미늄)의 MSM(Metal-Semiconductor-Metal) 구조를 이용하여 자외선 센서를 개발하고, 이 자외선 센서를 1 × 6 으로 배열함으로서, 각 자외선 센서의 셀로부터 출력되는 신호가 마이크로 프로세서에 의한 신호 처리를 통해 해당 셀에 입사된 자외선의 강도를 나타내는 신호 처리가 가능한 단결정 실리콘 기반 자외선 센서를 이용한 라인 스캐너 및 이의 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 단결정 실리콘 기반 자외선 센서를 이용한 라인 스캐너의 제조 방법은, 단결정 실리콘과 알루미늄 메탈을 이용한 MEM(Metal-Semiconductor-Metal) 구조의 자외선 센서를 제조하는 제 A 단계; 상기 자외선 센서를 1 × N 으로 배열한 구조의 라인 스캐너 패턴을 형성하는 B 단계; 및 1 × N 배열의 자외선 센서 출력을 이용하여 1에서 N까지 자외선 광을 이동(Shift)시켰을 때 센서 반응을 측정하여 상기 자외선 광에 반응하는 신호를 측정하는 C 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.