Mixed layer method for preparing the mixed layer light emitting device and electronic apparatus

The present invention relates to a mixed layer capable of providing excellent process stability. The mixed layer includes a matrix material and a dopant mixture. The dopant mixture is doped in the matrix material. The dopant mixture is a mixture of a first dopant and a second dopant. The weight of the matrix material is greater than the weight of the dopant mixture. Each of the matrix material, the first dopant, and the second dopant are different from each other. The matrix material does not include transition metal. The first dopant includes transition metal. The mixed layer is formed by a deposition of the matrix material, the first dopant, and the second dopant. The mixed layer has a concentration profile of the dopant mixture for the thickness of the mixed layer. The mixed layer satisfies T_m1 < T_p < T_m1+2. In addition, a light emitting device including the mixed layer and an electronic device including the light emitting device are provided. The description for each of the T_m1, T_p, and T_m1+2 will be written in the specifications. 매트릭스 물질(a matrix material); 및 도펀트 혼합물(a dopant mixture);을 포함한 혼합층(a mixed layer)으로서, 상기 도펀트 혼합물은 상기 매트릭스 물질 내에 도핑되어 있고, 상기 도펀트 혼합물은 제1도펀트(a first dopant)와 제2도펀트(a second dopant)의 혼합물이고, 상기 매트릭스 물질의 중량은 상기 도펀트 혼합물의 중량보다 크고, 상기 매트릭스 물질, 제1도펀트 및 제2도펀트 각각은 서로 상이하고, 상기 매트릭스 물질은 전이 금속을 비포함하고, 상기 제1도펀트는 전이 금속을 포함하고, 상기 혼합층은 상기 매트릭스 물질, 제1도펀트 및 제2도펀트의 증착(a deposition)에 의하여 형성된 층이고, 상기 혼합층은, 상기 혼합층 두께에 대한 도펀트 혼합물의 농도 프로파일을 갖고, Tm1 > Tp > Tm1+2를 만족한 혼합층 및 상기 혼합층의 제조 방법에 제공된다. 또한, 상기 혼합층을 포함한 발광 소자 및 상기 발광 소자를 포함한 전자 장치가 제공된다. 상기 Tm1, Tp 및 Tm1+2 각각에 대한 설명은 본 명세서에 기재된 바를 참조한다.