Semiconductor device

A semiconductor device, according to an embodiment of the present invention, comprises: a substrate; storage node contacts on the substrate; lower electrode structures disposed on the storage node contacts; a supporter structure provided on at least a part of an outer surface of the lower electrode structures and connecting adjacent lower electrode structures among the lower electrode structures; a dielectric layer disposed on the lower electrode structures and the support structure; and an upper electrode structure disposed on the dielectric layer. Each of the lower electrode structures comprises: a pillar part in contact with each of the storage node contacts; and a cylinder part disposed on the pillar part. The pillar part comprises: a first lower electrode layer having a cylindrical shape having a lower surface and a side surface; and at least a first part covering an inner wall of the first lower electrode layer. The cylinder part may comprise a second part extending from the first part and covering an upper end of the first lower electrode layer. The purpose of the present invention is to provide a semiconductor device with improved electrical characteristics and high integration. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자는, 기판; 기판 상의 스토리지 노드 콘택들; 상기 스토리지 노드 콘택들 상에 배치되는 하부 전극 구조물들; 상기 하부 전극 구조물들의 외측면의 적어도 일부 상에 구비되고, 상기 하부 전극 구조물들 중 서로 인접한 하부 전극 구조물들을 연결하는 서포터 구조물; 상기 하부 전극 구조물들 및 상기 서포터 구조물 상에 배치되는 유전층; 및 상기 유전층 상에 배치되는 상부 전극 구조물을 포함할 수 있다. 각각의 상기 하부 전극 구조물들은, 각각의 상기 스토리지 노드 콘택들과 접촉하는 기둥부; 및 상기 기둥부 상에 배치되는 실린더부를 포함할 수 있다. 상기 기둥부는, 하부면 및 측면을 갖는 실린더 형상의 제1 하부 전극층; 및 적어도 상기 제1 하부 전극층의 내벽을 덮는 제1 부분을 포함할 수 있다. 상기 실린더부는, 상기 제1 부분으로부터 연장되고, 상기 제1 하부 전극층의 상단을 덮는 제2 부분을 포함할 수 있다.