촬상 장치 및 수광 소자

본 개시의 일 실시 형태의 촬상 장치는, 화소마다, 광전 변환부 및 광전 변환부에서 발생한 신호 전하가 축적되는 전하 축적부를 갖는 제1 반도체층과, 제1 반도체층에 적층되어, 삼차원 구조를 가짐과 함께, 전하 축적부로부터 신호 전하를 읽어내는 화소 트랜지스터가 마련된 제1 면을 갖는 제2 반도체층과, 전하 축적부와 화소 트랜지스터의 게이트 전극을 직접 접속하는 관통 배선을 구비한다. An imaging device according to an embodiment of the present disclosure includes: a first semiconductor layer including, for each pixel, a photoelectric conversion section and a charge accumulation section that accumulates signal charge generated in the photoelectric conversion section; a second semiconductor layer stacked on the first semiconductor layer and having a first surface provided with a pixel transistor, in which the pixel transistor has a three-dimensional structure and reads the signal charge from the charge accumulation section; and a through-wiring line that directly couples the charge accumulation section and a gate electrode of the pixel transistor to each other.