TRANSISTOR WITH AIRGAP SPACER

게이트 측벽 스페이서로서 형성된 에어갭 스페이서를 갖는 마이크로 전자 트랜지스터가 제조될 수 있으며, 에어갭 스페이서는 마이크로 전자 트랜지스터의 게이트 전극과 소스 콘택 및/또는 드레인 콘택 사이에 위치하게 된다. 기체 물질들의 유전 상수가 고체 또는 반고체 유전체 재료의 유전 상수보다 상당히 낮기 때문에, 에어갭 스페이서는 게이트 전극과 소스 콘택 및/또는 드레인 콘택 사이의 최소 용량성 결합을 야기할 수 있으며, 이는 마이크로 전자 트랜지스터의 회로 지연을 감소시킬 수 있다. A microelectronic transistor may be fabricated having an airgap spacer formed as a gate sidewall spacer, such that the airgap spacer is positioned between a gate electrode and a source contact and/or a drain contact of the microelectronic transistor. As the dielectric constant of gaseous substances is significantly lower than that of a solid or a semi-solid dielectric material, the airgap spacer may result in minimal capacitive coupling between the gate electrode and the source contact and/or the drain contact, which may reduce circuit delay of the microelectronic transistor.