웨이퍼-수준 패키징 적용을 위한 광자 디본딩

웨이퍼-수준 패키징 적용에 적합한, 고-강도, 펄싱된, 광대역 광 시스템을 사용하는 캐리어 및 디바이스 기판의 디본딩 방법이 기재된다. 캐리어 기판은 웨이퍼의 한쪽 측면 상에 흡광 층을 갖는 투명 웨이퍼이다. 이 방법은 흡광 층을 빠르게 가열시키는 고 강도의 광을 사용하여 흡광 층에 인접한 본딩 재료 층을 분해하거나 용융시킨다. 광 노출 후, 힘을 거의 사용하지 않고 캐리어 기판이 디바이스 웨이퍼의 표면으로부터 떨어질 수 있다. A method is described for debonding a carrier and device substrate using a high-intensity, pulsed, broadband light system that is suitable for wafer-level packaging applications. The carrier substrate is a transparent wafer with a light absorbing layer on one side of the wafer. This method utilizes the high intensity light to rapidly heat up the light absorbing layer to decompose or melt a bonding material layer that is adjacent to the light absorbing layer. After exposure to light, the carrier substrate can be lifted off the surface of the device wafer with little or no force.